Intronics C3M0065100K
MOSFET，C3M 系列，Cree Inc.新 C3M 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术 在整个工作温度范围内，漏-源击穿电压最小为 1000 V 新低阻抗封装，带驱动器源 漏极与源极之间 8 mm 漏电/间隙 高速切换，具有低输出电容 高阻塞电压，带低漏-源通态电阻 可耐受雪崩 快速固有二极管，带低反向恢复 ### MOSFET 晶体管，Cree Inc.
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